서울대학교 전기정보공학부 이종호 교수 연구팀 박성호 연구원의 논문이 세계적 권위의 과학 학술지인 Advanced Science (IF : 14.1)의 2026년 11월호 (issue 61) 표지 논문으로 선정되었다.

 

이번 연구에서는 상용 3차원 낸드 플래시 메모리의 셀당 8개 데이터 상태를 활용하여, 저장된 데이터와 입력 데이터를 메모리 내부에서 직접 병렬 비교하는 Triple-Level Content-Addressable Memory (TLCAM) 구조를 새롭게 제안하였다. 이를 통해 기존 낸드 플래시의 순차 읽기 방식과 비교하여 읽기 처리량을 최대 24배 향상시키고, 검색에 필요한 읽기 에너지를 약 98% 절감하였다. 

 

3차원 낸드 플래시 메모리가 높은 집적도와 우수한 상용성을 갖춘 대표적인 비휘발성 메모리라는 점에서, 이번 연구는 대규모 데이터 검색을 가속하고 저전력 인공지능 연산을 구현하기 위한 고성능 메모리 중심 컴퓨팅 기술의 발전에 크게 기여할 것으로 기대된다.

논문명 : Triple-Level Content-Addressable Vertical NAND Flash Memory (https://doi.org/10.1002/advs.77390)