반도체 재료 및 소자연구실
Semiconductor Materials & Devices Lab.
연구실 소개 및 연구분야
▶ 연구실 소개
반도체 재료 및 소자 연구실의 nano-scale device group은 이종호 교수님의 지도 아래 가스 센서, 비휘발성 메모리 (Non-Volatile Memory, NVM), 강유전체 기반 메모리 및 시냅틱 소자, 신경모방 (neuromorphic) 시스템에 대한 연구를 진행하고 있다.
고집적 NVM 구현을 위하여 다양한 3차원 적층 구조의 SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) 플래시 메모리와, 강유전체 기반 물질 및 소자 에 관한 연구를 진행 중이다. 또한, 산화물 반도체를 감지물질로 사용하는 FET형 가스센서의 제작과 CMOS 기술과의 집적에 대한 연구를 진행 중에 있다. 최근에는 가스센서 기술과 neuromorphic 시스템을 집적하여 에너지 효율 및 신뢰성을 향상시키기 위한 연구를 활발히 진행하고 있다.
반도체 재료 및 소자 연구실의 nano-scale device group은 이종호 교수님의 지도 아래 가스 센서, 비휘발성 메모리 (Non-Volatile Memory, NVM), 강유전체 기반 메모리 및 시냅틱 소자, 신경모방 (neuromorphic) 시스템에 대한 연구를 진행하고 있다.
고집적 NVM 구현을 위하여 다양한 3차원 적층 구조의 SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) 플래시 메모리와, 강유전체 기반 물질 및 소자 에 관한 연구를 진행 중이다. 또한, 산화물 반도체를 감지물질로 사용하는 FET형 가스센서의 제작과 CMOS 기술과의 집적에 대한 연구를 진행 중에 있다. 최근에는 가스센서 기술과 neuromorphic 시스템을 집적하여 에너지 효율 및 신뢰성을 향상시키기 위한 연구를 활발히 진행하고 있다.
최근 관심분야 및 주요 연구과제
▶ 주요 연구과제
- 신경모방 시스템 구현을 위한 새로운 나노 구조의 저항변화 메모리 (미래창조과학부)
- 0.7V 이하 저전압 구동을 위한 Post-CMOS 미래 반도체소자 원천기술 개발 (산업통상자원부)
- 5nm 급 이하 차세대 Logic소자 원천요소기술 개발 (산업통상자원부)
- 뉴로모픽 시스템 구현을 위한 소자 및 회로 개발 (삼성전자)
- 나노전자소자 기술을 응용한 신경세포 모방 시냅스 소자어레이 및 아키텍처 원천기술 개발 (미래창조과학부)
- 신경모방 시스템 구현을 위한 새로운 나노 구조의 저항변화 메모리 (미래창조과학부)
- 0.7V 이하 저전압 구동을 위한 Post-CMOS 미래 반도체소자 원천기술 개발 (산업통상자원부)
- 5nm 급 이하 차세대 Logic소자 원천요소기술 개발 (산업통상자원부)
- 뉴로모픽 시스템 구현을 위한 소자 및 회로 개발 (삼성전자)
- 나노전자소자 기술을 응용한 신경세포 모방 시냅스 소자어레이 및 아키텍처 원천기술 개발 (미래창조과학부)
주요 논문/특허
▶ Selected papers and patents
[저서]
B.-G. Park, S.W. Hwang, and Y.J. Park, \"Nanoelectronic Devices,\" Pan Stanford Publishing, 2012
[논문]
1. Hyungjin Kim, Sungmin Hwang, Jungjin Park, Sangdoo Yun, Jong-Ho Lee, and Byung-Gook Park, "Spiking neural network using synaptic transistors and neuron circuits for pattern recognition with noisy images," IEEE Electron Device Letters, Vol. 39, No. 4, pp. 630-633, Apr. 2018 [SCI]
2. Min-Hwi Kim, Sungjun Kim, Kyung-Chang Ryoo, Seongjae Cho, and Byung-Gook Park, "Circuit-level simulation of resistive-switching random-access memory cross-point array based on a highly reliable compact model," Journal of Computational Electronics, Vol. 17, pp. 273-278, Mar. 2018 [SCI]
3. Hyungjin Kim, Min-Chul Sun, Sungmin Hwang, Hyun-Min Kim, Jong-Ho Lee, and Byung-Gook Park, "Fabrication of asymmetric independent dual-gate FinFET using sidewall spacer patterning and CMP processes," Microelectronic Engineering, Vol. 185-186, pp. 29-34, Jan. 2018 [SCI]
4. Sungjun Kim, Hyungjin Kim, Sungmin Hwang, Min-Hwi Kim, Yao-Feng Chang, and Byung-Gook Park, "Analog Synaptic Behavior of a Silicon Nitride Memristor," ACS Applied Materials & Interfaces, Vol. 9, No. 46, pp. 40420-40427, Nov. 2017 [SCI]
[특허]
박병국, 김성준, 김민휘, 김태현, 이상호, "3차원 적층을 위한 실리콘 하부전극을 갖는 저항변화메모리 및 그 제조방법"\
- Korean Patent filed 10-2017-0142238, September 17, 2017\
박병국, 김윤, 김형진, “뉴로모픽 시스템, 및 기억 장치"\
- Korean Patent filed 10-2017-0020130, February 14, 2017\
- United States Patent filed 15/643,902, July 7, 2017\
[저서]
B.-G. Park, S.W. Hwang, and Y.J. Park, \"Nanoelectronic Devices,\" Pan Stanford Publishing, 2012
[논문]
1. Hyungjin Kim, Sungmin Hwang, Jungjin Park, Sangdoo Yun, Jong-Ho Lee, and Byung-Gook Park, "Spiking neural network using synaptic transistors and neuron circuits for pattern recognition with noisy images," IEEE Electron Device Letters, Vol. 39, No. 4, pp. 630-633, Apr. 2018 [SCI]
2. Min-Hwi Kim, Sungjun Kim, Kyung-Chang Ryoo, Seongjae Cho, and Byung-Gook Park, "Circuit-level simulation of resistive-switching random-access memory cross-point array based on a highly reliable compact model," Journal of Computational Electronics, Vol. 17, pp. 273-278, Mar. 2018 [SCI]
3. Hyungjin Kim, Min-Chul Sun, Sungmin Hwang, Hyun-Min Kim, Jong-Ho Lee, and Byung-Gook Park, "Fabrication of asymmetric independent dual-gate FinFET using sidewall spacer patterning and CMP processes," Microelectronic Engineering, Vol. 185-186, pp. 29-34, Jan. 2018 [SCI]
4. Sungjun Kim, Hyungjin Kim, Sungmin Hwang, Min-Hwi Kim, Yao-Feng Chang, and Byung-Gook Park, "Analog Synaptic Behavior of a Silicon Nitride Memristor," ACS Applied Materials & Interfaces, Vol. 9, No. 46, pp. 40420-40427, Nov. 2017 [SCI]
[특허]
박병국, 김성준, 김민휘, 김태현, 이상호, "3차원 적층을 위한 실리콘 하부전극을 갖는 저항변화메모리 및 그 제조방법"\
- Korean Patent filed 10-2017-0142238, September 17, 2017\
박병국, 김윤, 김형진, “뉴로모픽 시스템, 및 기억 장치"\
- Korean Patent filed 10-2017-0020130, February 14, 2017\
- United States Patent filed 15/643,902, July 7, 2017\
