♦ 연사: 박병국 서울대 전기^.정보공학부 교수

♦ 일시: 2015년 4월 23일(목) 오후 5:00~6:00

♦ 장소: 서울대학교 제1공학관(301동) 118호

Abstract:

 최근 대용량 flash memory에 대한 수요가 급증하고 있지만, poly-silicon floating gate에 기반한 평면 소자와 array는 이미 축소화의 한계에 도달한 상태이다. 이 문제의 근본적인 해결을 위해서는 memory cell을 3차원적으로 적층해야 하며, 이에 가장 적합한 cell 형태는 저장 node로 절연막을 사용하는 charge trap flash (CTF) 소자이고, 그 중에서도 전기장의 집중을 통해 program/erase 효율을 높일 수 있는 원통형(cylindrical) 소자가 가장 바람직하다. 궁극적인 적층 수와 cell 축소화의 한계를 고려하면 수평 bit-line을 갖는 channel stacked array (CSTAR)가 수직 bit-line을 갖는 gate stacked array (GSTAR) 보다 유리하다. 이번 세미나에서는 비휘발성 메모리 역사의 맥락에서 3차원 적층 메모리의 현황을 살펴보고, 향후 비휘발성 메모리가 data의 단순 기록이라는 초기 단계에서 나아가 '어떻게 인간의 두뇌를 모방한 정보처리/저장 시스템의 핵심 요소로 진화할 것인가'하는 메모리의 영속성에 대해서 논의하고자 한다.

 

Biography:

♦ 학력

1982         서울대학교 전자공학 학사

1984         서울대학교 전자공학 석사.

1990         Stanford Univ.  Electrical Eng.  박사

♦ 주요 경력

2015~            대한전자공학회 회장
2008~2010     서울대학교 반도체공동연구소 소장

1994~            서울대학교 전기^.정보공학부 교수

1993~1994      Texas Instruments 연구원

1990~1992      AT&T Bell Laboratories 연구원

♦ 상훈

2008         대한전자공학회 해동학술상

2006         훌륭한 공대교수상 (교육상)