Spin-Transfer-Torque MRAM As Enabler of Next-Generation
Energy-Smart Mobile Computing and Connectivity Systems

> 연 사 : 이 강 호  Staff Engineer, Qualcomm
> 일 시 : 2013년 5월 2일 (목) 오후 5:00~6:00
> 장 소 : 서울대학교 제1공학관 301동 102호

Abstract:
스마트폰의 도래와 함께 모바일 컴퓨팅 시대가 본격적으로 시작되면서 application processor (AP)의 성능은 눈부시게 발전해왔습니다. 그러나 AP의 전력 소모가 급격히 증가하면서 energy-smart AP를 만들기 위한 노력이 software, system architecture, circuit design, device 전반에 걸쳐 광범위하게 진행되고 있습니다. 이번 세미나에서는 현재의 모바일 컴퓨팅 시스템이 앞으로 나아갈 방향을 논의하고 새로운 비휘발성 메모리 기술인 Spin-Transfer-Torque MRAM (STT-MRAM)이 가격, 전력소모, 성능의 관점에서 energy-smart mobile computing system를 구현하는데 어떤 역할을 할 수 있는지 검토하겠습니다. STT-MRAM의 동작 원리와 개발 현황이 아울러 소개될 것입니다.

Biography:
> 학  력
서울대 전자공학과, 학사
Purdue University ECE, Ph.D
> 경  력
Intel Components Research, Intern Engineer
Qualcomm Mobile Chipset Division, Staff Engineer
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